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      高純鎳靶材

      材質(zhì):鎳(Ni)含量≥99.9%

      執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn): STM B160、ISO 6283、GB/T 5235、SJ/T 11485

      瀏覽次數(shù):

      發(fā)布日期: 2023-07-21 16:25:44

      全國熱線: 0917-3376170

      詳細描述 / Detailed description

      1、定義與材質(zhì)

      定義:

      高純鎳靶材是以純度≥99.9%(通常為99.95%~99.999%)的金屬鎳為原料,通過熔煉、鍛造、軋制等工藝制成的片狀或塊狀材料,主要用于物理氣相沉積(PVD)、磁控濺射等鍍膜工藝。

      材質(zhì)特性:

      成分:鎳(Ni)含量≥99.9%,雜質(zhì)元素(如Fe、C、S、O等)嚴格控制在ppm級。

      形態(tài):常見為圓形、矩形或異形靶材,表面需高精度拋光(粗糙度Ra≤0.8μm)。

      2、性能與特點

      核心性能:

      高導(dǎo)電性:鎳的電阻率低(6.9×10?? Ω·m),適合高頻電子器件鍍膜。

      耐腐蝕性:在常溫下對酸、堿、鹽溶液及大氣腐蝕有良好抗性。

      高熔點(1455℃):適用于高溫濺射環(huán)境。

      強結(jié)合力:鍍膜與基材附著力優(yōu)異。

      獨特優(yōu)勢:

      濺射速率快,膜層均勻致密;

      可加工成復(fù)雜形狀,兼容多種鍍膜設(shè)備;

      高純度確保鍍膜低缺陷,適用于精密電子領(lǐng)域。

      3、應(yīng)用領(lǐng)域

      半導(dǎo)體制造:用于集成電路(IC)中的金屬互連層、阻擋層。

      顯示面板:TFT-LCD、OLED的電極鍍膜。

      太陽能電池:薄膜太陽能電池的背電極材料。

      光學(xué)鍍膜:鏡面反射涂層、防反射膜。

      磁性材料:磁記錄介質(zhì)(如硬盤)的磁性層。

      裝飾鍍層:手機外殼、珠寶的耐磨裝飾鍍膜。

      4、執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

      國際標(biāo)準(zhǔn):

      ASTM B160(鎳及鎳合金棒材標(biāo)準(zhǔn));

      ISO 6283(金屬靶材表面質(zhì)量規(guī)范)。

      國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn):

      GB/T 5235(高純鎳靶材技術(shù)要求);

      SJ/T 11485(電子行業(yè)濺射靶材標(biāo)準(zhǔn))。

      5、與其他靶材的區(qū)別

      靶材類型核心特性主要應(yīng)用領(lǐng)域對比高純鎳靶材
      鈦靶材輕質(zhì)、耐高溫氧化航空航天、生物醫(yī)療鈦更輕,但導(dǎo)電性差,需摻雜使用。
      鋯靶材耐腐蝕、中子吸收核工業(yè)、化工防腐鋯耐蝕性更強,但成本高,加工難度大。
      鉭靶材高熔點、耐酸堿半導(dǎo)體阻擋層、電容器鉭更耐蝕,但價格昂貴,濺射速率低。
      鈮靶材超導(dǎo)性能、低溫韌性超導(dǎo)材料、航空航天鈮超導(dǎo)性突出,但純度要求更高。
      鋁靶材輕質(zhì)、低成本反射鏡、包裝材料鋁成本低,但硬度低,耐磨性差。
      銅靶材超高導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性芯片互連、散熱涂層銅導(dǎo)電性優(yōu)于鎳,但易氧化,需加阻擋層。

      6、前景展望與深度應(yīng)用需求

      1)技術(shù)趨勢:

      半導(dǎo)體小型化:3nm以下制程對高純鎳靶材的純度(≥99.999%)和晶粒均勻性提出更高要求。

      新能源擴展:固態(tài)電池電極鍍膜、氫能催化層需求增長。

      先進顯示技術(shù):Micro LED巨量轉(zhuǎn)移中的金屬鍵合層依賴高精度鎳鍍膜。

      2)挑戰(zhàn)與機遇:

      國產(chǎn)替代:突破高純鎳提純技術(shù)(如區(qū)域熔煉法),降低進口依賴;

      復(fù)合靶材開發(fā):鎳基合金靶材(如Ni-Cr、Ni-Ti)滿足多功能鍍膜需求。

      7、選購方法與注意事項

      1)選購要點:

      純度驗證:要求供應(yīng)商提供ICP-MS檢測報告(雜質(zhì)含量≤100ppm);

      晶粒尺寸:均勻的納米級晶粒(≤50nm)可提升鍍膜質(zhì)量;

      密度控制:靶材密度≥8.9g/cm3(接近理論值8.908g/cm3);

      供應(yīng)商資質(zhì):優(yōu)先選擇通過ISO 9001和IATF 16949認證的廠商。

      2)使用注意事項:

      存儲:真空包裝,避免氧化和表面污染;

      安裝:靶材與背板需緊密貼合,防止濺射過程中局部過熱;

      工藝匹配:根據(jù)設(shè)備功率調(diào)整濺射參數(shù)(如氣壓、功率密度),減少結(jié)瘤問題。

      高純鎳靶材憑借其優(yōu)異的導(dǎo)電性、耐腐蝕性和鍍膜性能,在半導(dǎo)體、新能源等領(lǐng)域占據(jù)重要地位。與鈦、鋯等靶材相比,其在成本與性能間實現(xiàn)了較好平衡。未來隨著技術(shù)迭代,高純鎳靶材的純度提升和復(fù)合化將是主要發(fā)展方向。

      建議用戶:根據(jù)具體應(yīng)用場景(如鍍膜厚度、基材類型)選擇靶材規(guī)格,優(yōu)先與具備定制化能力的供應(yīng)商合作,并定期檢測靶材使用后的表面狀態(tài)以優(yōu)化工藝。

      產(chǎn)品相冊 / Product album
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