目前，鉻靶材的制備主要包括特殊的熔融法和粉末冶金法。具體方法，凱澤金屬結(jié)合相關(guān)資料，整理如下：
特殊的熔化方法：將具有一定組成比的合金原料熔化，然后將合金溶液倒入模具中形成鑄錠，最后機加工成目標(biāo)材料。 鉻靶鑄造方法是在真空中熔煉和鑄造的。常用的熔煉方法包括真空感應(yīng)熔煉，真空電弧熔煉和真空電子轟擊熔煉等。其優(yōu)點是靶材雜質(zhì)含量低，密度高，可大規(guī)模生產(chǎn)。缺點是鈮靶、鉻靶熔點和密度存在兩種或兩種差異很大。
粉末冶金：將一定比例的合金原料熔煉成鑄錠，然后進行粉碎。通過等靜壓形成粉碎的粉末，然后在高溫下燒結(jié)以最終形成鉻靶。 其優(yōu)點是目標(biāo)成分均勻。 缺點是密度低和雜質(zhì)含量高。 常用的粉末冶金工藝包括冷壓，真空熱壓和熱等靜壓。
鉻靶材料的過程：通過金屬冶煉，粉末冶金，非金屬粉末法，真空冶煉，普通熱壓，冷壓燒結(jié)等方法，通過鍛造，熱軋或冷軋再加熱成型 處理以消除型材的應(yīng)力并通過高溫?zé)Y(jié)使其均勻化或提高其致密性，然后在加工的型材上執(zhí)行機加工工藝，有時根據(jù)需要，一些鈮靶、鉻靶材會被金屬化并與無氧銅背板結(jié)合。
幾乎所有新的濺射設(shè)備都使用強大的磁體以螺旋運動方式移動電子，以加速氬氣在靶材周圍的電離，這增加了靶材與氬離子之間的碰撞概率并提高了濺射速率。通常，金屬涂層通常使用DC濺射，而非導(dǎo)電陶瓷材料使用RF AC濺射。高純鉻靶基本原理是使用輝光放電在真空中撞擊靶表面的氬離子，等離子體中的陽離子會加速撞擊。作為要濺射的材料，在負極表面上，這種沖擊將導(dǎo)致目標(biāo)材料飛出并沉積在基板上，高純鉻靶從而形成薄膜。
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