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      鈦靶板(鈦平面靶)

      材質:TA1(Grade1)、TA2(Grade2)

      執行標準: ASTM B348、SEMI F47、GB/T 3621、SJ/T 11609-2016、VDI 3198、ISO 1463

      瀏覽次數:

      發布日期: 2022-10-06 10:31:00

      全國熱線: 0917-3376170

      詳細描述 / Detailed description

      1、定義

      鈦靶板(鈦平面靶)是一種平板狀的高純度鈦濺射靶材,通常為矩形或圓形薄板結構,專為磁控濺射設備設計,通過離子轟擊鈦表面濺射出鈦原子或離子,在基材表面沉積均勻的功能性薄膜。其核心應用場景包括半導體制造、光學鍍膜、裝飾涂層及工業耐磨防護等領域。

      2、性能特點

      高純度:純度等級從 3N5(99.95%) 到 5N(99.999%),雜質(Fe、O、C等)含量嚴格控制在ppm級。

      高密度:≥4.5 g/cm3(接近理論密度4.506 g/cm3),減少濺射顆粒飛濺和薄膜缺陷。

      均勻成膜:靶面晶粒尺寸≤50 μm,確保膜厚均勻性(±5%以內)。

      耐高溫性:熔點1668°C,適配高功率濺射工藝(≤15 W/cm2)。

      邊緣效應控制:通過優化磁場設計,減少靶材邊緣與中心區域的濺射速率差異。

      3、材質與制造工藝

      材質:

      純鈦:ASTM Grade 1(低氧)、Grade 2(通用級)或定制高純鈦(4N5級以上)。

      復合結構:鈦靶板與銅/鉬背板通過真空擴散焊接,提升導熱性(導熱系數≥200 W/m·K)。

      制造工藝:

      原料提純:

      電子束熔煉(EBM)或真空自耗電弧熔煉(VAR),去除揮發性雜質(如Mg、Cl)。

      塑性加工:

      熱軋(900-1000°C)→冷軋→退火(消除內應力)。

      精密加工:

      線切割成型→表面鏡面拋光(Ra≤0.4 μm)→超聲波清洗(去除微顆粒)。

      復合焊接:

      鈦-銅界面采用真空熱壓焊(溫度750-850°C,壓力30-50 MPa)。

      4、執行標準

      標準類型具體標準
      國際標準ASTM B348(鈦及鈦合金板材)、SEMI F47(半導體靶材通用規范)
      國內標準GB/T 3621(鈦及鈦合金板材)、SJ/T 11609-2016(平板顯示用濺射靶材技術規范)
      行業規范VDI 3198(涂層結合強度測試)、ISO 1463(膜厚測量標準)

      5、應用領域

      半導體制造:

      銅互連阻擋層(Ti/TiN)、晶圓級封裝(WLP)的粘附層。

      光學鍍膜:

      手機屏幕抗反射層(400-700 nm波段透過率≥98%)、激光鏡面高反射膜。

      工業涂層:

      切削刀具的TiAlN涂層(硬度≥3000 HV)、模具的TiCN耐磨層。

      裝飾鍍膜:

      智能手表表殼的氮化鈦(TiN)仿金涂層、衛浴五金件防指紋鍍層。

      新能源:

      燃料電池雙極板防腐蝕涂層、光伏電池電極導電層。

      6、與其他鈦靶的異同對比

      特性鈦靶板(平面靶)鈦管靶鈦圓柱靶鈦合金靶(Ti6Al4V)
      形狀平板(矩形/圓形)空心圓柱體實心圓柱體平板/塊狀(含Al、V等)
      濺射均勻性需優化磁場設計(±5%)旋轉濺射(±3%)固定濺射(±5%)合金元素偏析風險(±8%)
      利用率30-40%(邊緣損耗高)70%以上(旋轉動態利用)50-60%40-50%
      加工難度中(大尺寸軋制技術)高(精密焊接要求)高(復合焊接工藝)中(合金均勻性控制)
      成本高(材料損耗大)中高中等
      適用場景大面積靜態鍍膜(如G6代線)連續生產(G10.5代線)高功率濺射(半導體設備)耐磨涂層(航空部件)

      7、選購方法與注意事項

      選購方法

      純度與雜質檢測:

      要求 GDMS(輝光放電質譜)報告,重點核查Fe(≤50 ppm)、O(≤300 ppm)、C(≤100 ppm)。

      若用于光學鍍膜,需額外控制Al、Si含量(均≤10 ppm)。

      微觀結構驗證:

      SEM分析:晶粒尺寸≤50 μm,無氣孔、裂紋(氣孔率≤0.1%)。

      XRD檢測:確認晶相為純α-Ti(六方密堆積結構)。

      尺寸適配性:

      靶板厚度通常為6-12 mm,尺寸需匹配設備腔體(如G5代線靶板長度≥2000 mm)。

      供應商評估:

      優先選擇具備 EBM熔煉+熱等靜壓(HIP) 技術的廠商(如美國H.C. Starck、日本東邦鈦)。

      查看是否通過 ISO 9001 和 IATF 16949(汽車行業)認證。

      注意事項

      儲存與運輸:

      真空鋁箔袋封裝,充氬氣保護,垂直放置避免變形(儲存濕度<30% RH)。

      運輸時使用防震木箱,避免靶板邊緣磕碰(建議溫度10-30°C)。

      安裝與使用:

      安裝前用 無水乙醇+無塵布 擦拭靶面,確保無指紋或油污。

      初始濺射功率需逐步增加(如5 W/cm2→10 W/cm2→15 W/cm2,每階段10分鐘)。

      工藝優化:

      半導體鍍膜:濺射氣壓0.2-0.3 Pa,基片溫度≤200°C(防止熱應力導致晶圓翹曲)。

      裝飾鍍層:氮氣流量占比50%-70%,偏壓控制在-50至-100 V(增強膜層附著力)。

      維護與報廢:

      定期翻轉靶板(每200小時工作后調換方向),剩余厚度<15%時需更換。

      報廢靶板可回收重熔,但需檢測再生材料的雜質增量(如O含量增加≤100 ppm)。

      鈦靶板(平面靶)憑借其大面積成膜能力與高純度特性,成為半導體、光學及工業涂層領域的核心材料。相較于鈦管靶,其邊緣損耗較高但兼容性更廣;與鈦合金靶相比,純度更高但需依賴復合背板提升散熱效率。選購時需嚴格把控純度、微觀結構及供應商工藝能力,使用中需優化濺射參數與維護流程,以平衡鍍膜質量與成本效益。對于高世代面板產線(如G10.5)或超精密光學鍍膜,建議選用4N5級以上靶材;而中低端工業場景可選用3N5級靶板以降低成本。

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