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      鈦管靶

      材質(zhì):Grade2、TA1、TP340、Ti-5N

      執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn): ASTM、GB/T 3620.1、JIS H 4650

      瀏覽次數(shù):

      發(fā)布日期: 2023-08-19 16:42:14

      全國(guó)熱線: 0917-3376170

      詳細(xì)描述 / Detailed description

      1、定義

      鈦管靶是一種中空?qǐng)A柱形鈦金屬材料,專為旋轉(zhuǎn)陰極濺射鍍膜設(shè)計(jì),通過(guò)高速旋轉(zhuǎn)(通常200-500 rpm)實(shí)現(xiàn)靶材表面均勻刻蝕,提升材料利用率(可達(dá)80%以上,而平面靶僅40-60%)。

      2、性能特點(diǎn)

      特性數(shù)值/描述優(yōu)勢(shì)
      濺射均勻性膜厚偏差≤±3% (對(duì)比平面靶±8%)適合大面積連續(xù)鍍膜(如卷繞式鍍膜生產(chǎn)線)
      散熱效率水冷系統(tǒng)接觸面積增加50%支持高功率濺射(10-15 kW)
      材料利用率80-90% (平面靶40-60%)降低單次鍍膜成本
      機(jī)械強(qiáng)度壁厚≥5mm時(shí)抗彎強(qiáng)度≥300 MPa可承受高速旋轉(zhuǎn)離心力

      3、常用材質(zhì)牌號(hào)

      標(biāo)準(zhǔn)體系牌號(hào)純度要求適用場(chǎng)景
      ASTMGrade 2≥99.7% Ti常規(guī)裝飾鍍膜、工具涂層
      GB/T 3620.1TA1≥99.9% Ti光學(xué)鍍膜、半導(dǎo)體封裝
      JIS H 4650TP340≥99.8% Ti顯示面板ITO導(dǎo)電層
      特殊高純Ti-5N99.999% TiEUV光刻機(jī)反射鏡鍍膜

      4、執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

      國(guó)際標(biāo)準(zhǔn):

      ASTM B338: 鈦及鈦合金無(wú)縫管(規(guī)定尺寸公差±0.1mm)

      ISO 5832-2: 外科植入物用鈦材(適用于醫(yī)療鍍膜靶材)

      中國(guó)標(biāo)準(zhǔn):

      GB/T 3624: 鈦及鈦合金管材(壁厚公差±10%)

      GB/T 5193: 濺射靶材晶粒度要求(晶粒尺寸≤50 μm)

      5、應(yīng)用領(lǐng)域

      領(lǐng)域具體應(yīng)用性能要求
      顯示面板OLED陽(yáng)極層、TFT導(dǎo)電層純度≥99.95%,氧含量<500 ppm
      光伏產(chǎn)業(yè)薄膜太陽(yáng)能電池背電極厚度均勻性CV≤2%
      醫(yī)療器械人工關(guān)節(jié)抗菌涂層符合ISO 10993生物相容性標(biāo)準(zhǔn)
      汽車玻璃隔熱Low-E膜耐高溫循環(huán)(-30~300℃)

      6、與其他鈦靶類型的區(qū)別

      參數(shù)鈦管靶鈦板靶鈦靶塊(柱狀靶)
      形狀空心圓柱(Φ50-500mm×L≤3m)平面矩形/圓形實(shí)心圓柱/立方體
      濺射方式旋轉(zhuǎn)陰極(動(dòng)態(tài)鍍膜)固定陰極(靜態(tài)鍍膜)磁控掃描濺射
      材料利用率80-90%40-60%50-70%
      典型應(yīng)用卷繞式連續(xù)鍍膜小面積精密鍍膜高功率脈沖濺射(HiPIMS)
      成本高(需精密離心鑄造)

      7、選購(gòu)方法

      尺寸匹配:

      內(nèi)徑需與旋轉(zhuǎn)陰極軸公差配合(推薦H7/g6間隙配合)

      長(zhǎng)度根據(jù)鍍膜腔室尺寸選擇(常見(jiàn)1-2.5m)

      純度驗(yàn)證:

      要求提供GDMS報(bào)告(重點(diǎn)關(guān)注Al≤50 ppm、Fe≤100 ppm)

      結(jié)構(gòu)檢測(cè):

      超聲波探傷(UT)檢測(cè)壁厚均勻性(偏差≤±0.2mm)

      EBSD分析晶粒取向(擇優(yōu)取向(002)面占比≥60%)

      供應(yīng)商資質(zhì):

      需具備真空自耗電弧爐(VAR)+冷軋(Pilger Mill)生產(chǎn)線

      8、注意事項(xiàng)

      安裝精度:

      同心度偏差≤0.05mm/m,防止旋轉(zhuǎn)振動(dòng)導(dǎo)致膜層波紋

      冷卻系統(tǒng):

      水溫需控制在15-25℃,流量≥20 L/min(避免靶材過(guò)熱變形)

      壽命管理:

      當(dāng)壁厚磨損至原始值50%(如初始10mm剩5mm)時(shí)需更換

      安全規(guī)范:

      鈦粉塵爆炸濃度下限為45 g/m3,加工區(qū)需配備NFPA 68標(biāo)準(zhǔn)防爆系統(tǒng)

      鈦管靶憑借其高材料利用率和均勻鍍膜特性,在顯示面板(如G10.5代線需Φ450×2500mm靶管)和光伏領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。相比鈦板靶,其采購(gòu)成本高約30%,但綜合鍍膜效率提升50%以上。特殊應(yīng)用(如EUV鍍膜)需選擇單晶鈦管靶(晶向偏差<1°),并配合離子束輔助沉積(IBAD)工藝,實(shí)現(xiàn)膜層表面粗糙度<0.2 nm。

      產(chǎn)品相冊(cè) / Product album
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