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      濺射鈦靶材的制備技術(shù)和性能要求

      發(fā)布時間:2021-08-05 21:55:46 瀏覽次數(shù) :

      磁控濺射是制備薄膜材料的關(guān)鍵技術(shù),而鈦靶材是這項技術(shù)中需要使用的鍍膜材料。現(xiàn)在很多行業(yè),如集成電路,裝飾鍍膜行業(yè)、平面顯示等都需要用到磁控濺射技術(shù),這些行業(yè)對于產(chǎn)品的質(zhì)量要求高,且技術(shù)含量高,因此對于使用到的鈦靶材的技術(shù)及性能也有十分嚴(yán)格的要求,下面凱澤金屬就來具體說說對濺射鈦靶材的技術(shù)及性能要求,一起來看看吧。

      一、濺射鈦靶材的技術(shù)要求

      1、純度要求

      鈦靶材的純度對濺射薄膜的性能影響很大。鈦靶材的純度越高,濺射鈦薄膜的中的雜質(zhì)元素粒子越少,導(dǎo)致薄膜性能越好,包括耐蝕性及電學(xué)、光學(xué)性能越好。不過在實際應(yīng)用中,不同用途鈦靶材對純度要求不一樣。例如,一般裝飾鍍膜用鈦靶材對純度的要求并不苛求,而集成電路、顯示器體等領(lǐng)域用鈦靶材對純度的要求高很多。靶材作為濺射中的陰極源,材料中的雜質(zhì)元素和氣孔夾雜是沉積薄膜的主要污染源。氣孔夾雜會在鑄錠無損探傷的過程中基本去除,沒有去除的氣孔夾雜在濺射的過程中會產(chǎn)生放電現(xiàn)象,進而影響薄膜的質(zhì)量;而雜質(zhì)元素含量只能在全元素分析測試結(jié)果中體現(xiàn),雜質(zhì)總含量越低,鈦靶材純度就越高。隨后頒布標(biāo)準(zhǔn)《YS/T 893-2013電子薄膜用高純鈦濺射靶材》,規(guī)定3個純度鈦靶材單個雜質(zhì)含量及總雜質(zhì)含量不同的要求。

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      2、平均晶粒尺寸要求

      通常鈦靶材為多晶結(jié)構(gòu),晶粒大小可由微米到毫米量級,細小尺寸晶粒靶的濺射速率要比粗晶粒靶快,在濺射面晶粒尺寸相差較小的靶,濺射沉積薄膜的厚度分布也較均勻。研究發(fā)現(xiàn),若將鈦靶的晶粒尺寸控制在100 pμm 以下,且晶粒大小的變化保持在20%以內(nèi),其濺射所得薄膜的質(zhì)量可得到大幅度改善。集成電路用鈦靶材平均晶粒尺寸要求在30μm以內(nèi),超細晶鈦靶材平均晶粒尺寸在10 μm以下。

      3、結(jié)晶取向要求

      金屬鈦是密排六方結(jié)構(gòu),由于在濺射時鈦靶材原子容易沿著原子六方緊密排列方向優(yōu)先濺射出來,因此,為達到高濺射速率,可通過改變靶材結(jié)晶結(jié)構(gòu)的方法來增加濺射速率。目前大多數(shù)集成電路鈦靶材濺射面晶面族為60%以上,不同廠家生產(chǎn)的靶材晶粒取向略有不同,鈦靶材的結(jié)晶方向?qū)R射膜層的厚度均勻性影響也較大。平面顯示和裝飾鍍膜的薄膜尺寸偏厚,所以對應(yīng)鈦靶材對晶粒取向要求比較低。

      4、結(jié)構(gòu)均勻性要求

      結(jié)構(gòu)均勻性也是考察靶材質(zhì)量的重要技術(shù)指標(biāo)之一。對于鈦靶材不僅要求在靶材的濺射平面,而且在濺射面的法向方向成分、晶粒取向和平均晶粒度均勻性。只有這樣鈦靶材在使用壽命內(nèi),在同一時間內(nèi)能夠得到厚度均勻、質(zhì)量可靠的、晶粒大小一致的鈦薄膜。

      5、幾何形狀與尺寸要求

      主要體現(xiàn)在加工精度和加工質(zhì)量方面,如加工尺寸、表面平整度、粗糙度等。如安裝孔角度偏差過大,無法正確安裝;厚度尺寸偏小會影響靶材的使用壽命;密封面和密封槽尺寸過于粗糙會導(dǎo)致靶材安裝后真空出現(xiàn)問題,嚴(yán)重的導(dǎo)致漏水;靶材濺射面粗糙化處理可使靶材表面布滿豐富的凸起,在效應(yīng)的作用下,這些凸起的電勢將大大提高,從而擊穿介質(zhì)放電,但是過大的凸起對于濺射的質(zhì)量和穩(wěn)定性是不利的。

      6、焊接結(jié)合要求

      通常對于高熔點鈦與低熔點鋁材料的擴散焊接,主要是基于單向或者雙向加壓的真空擴散連接技術(shù)進行研究或采用熱等靜壓技術(shù)實現(xiàn)鈦、鋁金屬材料的高壓中低溫直接擴散連接。

      二、濺射鈦靶材的性能要求

      不同行業(yè)鈦靶材要求也有很大差別,主要包括:純度、微觀組織、 焊接性能、尺寸精度幾個方面,具體性能要求如下:

      1、純度:非集成電路用99.9%;集成電路用99.995%、 99.99%。

      2、微觀組織:非集成電路用平均晶粒小于100μm;集成電路用平均晶粒小于30μm、超細晶平均晶粒小于10μm。

      3、焊接性能:非集成電路用釬焊、單體;集成電路用單體、釬焊、擴散焊。

      4、尺寸精度:非集成電路用0.1mm;集成電路用0.01mm。

      以上就是濺射鈦靶材的技術(shù)及性能要求,鈦靶材的性能關(guān)乎著濺射薄膜的性能,可充分利用與使用靶材,也可滿足需要的薄膜要求,發(fā)揮出其價值,所以鈦靶材在行業(yè)中的應(yīng)用,其技術(shù)和性能的要求非常的重要。凱澤金屬專注生產(chǎn)高純?yōu)R射靶材,如鈦靶材、鉬靶材、鎢靶材等,研發(fā)、生產(chǎn)十余年,靶材產(chǎn)品組織結(jié)構(gòu)均勻細小、性能穩(wěn)定一致,如果您有需要,歡迎聯(lián)系凱澤金屬。

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