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      高純鉻靶的兩種制備方法簡述

      發(fā)布時間:2023-02-04 10:14:26 瀏覽次數(shù) :

      目前,鉻靶的制備主要包括特殊的熔融法和粉末冶金法。

      特殊的熔化方法:將具有一定組成比的合金原料熔化,然后將合金溶液倒入模具中形成鑄錠,最后機加工成目標材料。 鉻靶鑄造方法是在真空中熔煉和鑄造的。常用的熔煉方法包括真空感應熔煉,真空電弧熔煉和真空電子轟擊熔煉等。其優(yōu)點是靶材雜質(zhì)含量低,密度高,可大規(guī)模生產(chǎn)。 缺點是鈮靶、鉻靶熔點和密度存在兩種或兩種差異很大。

      粉末冶金:將一定比例的合金原料熔煉成鑄錠,然后進行粉碎。通過等靜壓形成粉碎的粉末,然后在高溫下燒結以最終形成

      鉻靶。 其優(yōu)點是目標成分均勻。 缺點是密度低和雜質(zhì)含量高。 常用的粉末冶金工藝包括冷壓,真空熱壓和熱等靜壓。

      鉻靶材

      鉻靶材料的過程:通過金屬冶煉,粉末冶金,非金屬粉末法,真空冶煉,普通熱壓,冷壓燒結等方法,通過鍛造,熱軋或冷軋再加熱成型 處理以消除型材的應力并通過高溫燒結使其均勻化或提高其致密性,然后在加工的型材上執(zhí)行機加工工藝,有時根據(jù)需要,一些鈮靶、鉻靶靶材會被金屬化并與無氧銅背板結合。

      幾乎所有新的濺射設備都使用強大的磁體以螺旋運動方式移動電子,以加速氬氣在靶材周圍的電離,這增加了靶材與氬離子之間的碰撞概率并提高了濺射速率。通常,金屬涂層通常使用DC濺射,而非導電陶瓷材料使用RF AC濺射。高純鉻靶基本原理是使用輝光放電在真空中撞擊靶表面的氬離子,等離子體中的陽離子會加速撞擊。作為要濺射的材料,在負極表面上,這種沖擊將導致目標材料飛出并沉積在基板上,高純鉻靶從而形成薄膜。

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